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BUK7E4R3-75C	文件：457.44 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits 文件：457.44 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7E4R3-75C	文件：299.84 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：299.84 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BUK7E4R3-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA/安世 SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7K6R2-40EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA SOT1205	NEXPERIA 安世上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK7E4R3-75C
功能描述：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 75V 192A 3pin(3+Tab)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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