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BUK7E2R6-60E	文件：721.5 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7E2R6-60E；Package：I2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：721.5 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7E2R6-60E_15	文件：216.64 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：216.64 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7E2R6-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7K6R2-40EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1205	NEXPERIA 安世上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA

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