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BUK7830-30	文件：58.41 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology, the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intende 文件：58.41 Kbytes 页数：10 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7830-30	文件：300 bytes Page：1 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET	恩XP	恩XP
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7K6R2-40EX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1205	NEXPERIA 安世上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	NEXPERIA
BUK7K6R8-40E,115	文件：0 bytes Page：0 Pages	LFPAK56	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

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更多BUK7830-30供应商更新时间2026-1-30 17:32:00