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BUK764R2-80E	文件：220.21 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：220.21 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK764R2-80E	文件：727.14 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK764R2-80E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：727.14 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK764R2-80E_15	文件：220.21 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：220.21 Kbytes 页数：13 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK764R2-80E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia

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更多BUK764R2供应商更新时间2025-12-25 14:56:00