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BUK7613-60E	文件：719.86 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BUK7613-60E；Package：D2PAK；N-channel TrenchMOS standard level FET 文件：719.86 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK7613-60E_15	文件：212.7 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FETll 文件：212.7 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BUK7613-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET Standard level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications. • AEC-Q101 compliant\n• Repetitive avalanche rated\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n• True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
13
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
58
QGD [typ] (nC)：
6.9
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
22.9
Ptot [max] (W)：
96
Qr [typ] (nC)：
18.1
VGSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
1298
Coss [typ] (pF)：
197
Release date：
2012-06-27

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更多BUK7613-60E供应商更新时间2026-1-27 20:00:00

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