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BUK7606-55B

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Source Voltage : VDSS= 55V(Min) ·Low RDS(ON) ·Fast Switching Speed ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose swi

文件:305.7 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BUK7606-55B

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:947.4 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

BUK7606-55B_15

N-channel TrenchMOS standard level FET

文件:358.37 Kbytes 页数:14 Pages

PHI

PHI

PHI

KUK7606-55A

TrenchMOSTM standard level FET

文件:56.52 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

KUK7606-55B

TrenchMOSTM standard level FET

文件:56.78 Kbytes 页数:2 Pages

KEXIN

科信电子

详细参数

  • 型号:

    BUK7606-55B

  • 功能描述:

    MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
16+/17+
TO263
3500
原装正品现货供应56
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更多BUK7606-55B供应商 更新时间2026-2-1 13:38:00