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BUK7275-100A	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK7275-100A - N-channel TrenchMOS standard level FET N-channel TrenchMOS standard level FET - Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.; ·Low conduction losses due to low on-state resistance\n·Q101 compliant\n·Suitable for standard level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n;	NexperiaNexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK7275-100A	文件：935.59 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
BUK7275-100A	文件：282.08 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS standard level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK7275-100A_15	文件：346.42 Kbytes Page：13 Pages	N-channel TrenchMOS standard level FET	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEXPERIA D2PAK	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司上传：万三科技(深圳)有限公司

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
100
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
75
I_D [max] (A)：
21.7
P_tot [max] (W)：
89
Q_r [typ] (nC)：
120
V_GSth [typ] (V)：
3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
910
C_oss [typ] (pF)：
130
Date：
2010-11-10

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