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BUK6E3R4-40C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BUK6E3R4-40C_15

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

  • 型号:

    BUK6E3R4-40C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 40V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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