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BUK6D72-30E	文件：285.97 Kbytes Page：15 Pages	30 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Sidewettableflanksforo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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BUK6D72-30E

文件：285.97 Kbytes

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30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Sidewettableflanksforo

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更多BUK6D72-30E供应商更新时间2024-5-29 16:16:00

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