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BUK6D43-40PX	文件：280.98 Kbytes Page：15 Pages	40 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 ℃ • Side wettable flanks for op 文件：280.98 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
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