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BUK6D230-80E	文件：284.89 Kbytes Page：15 Pages	丝印：4T；Package：DFN2020MD-6；80 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：284.89 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6D230-80E	文件：300 bytes Page：1 Pages	80 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• Trench MOSFET technology\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
80
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
230
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
275
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
5.1
QGD [typ] (nC)：
0.90000004
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
4.8
Ptot [max] (W)：
15
Qr [typ] (nC)：
7.6
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
215
Coss [typ] (pF)：
25
Release date：
2019-04-29

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更多BUK6D230-80E供应商更新时间2026-1-29 17:01:00

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