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BUK6D210-60E	文件：499.55 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5G；Package：DFN2020MD-6；60 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：499.55 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6D210-60E	文件：11.62183 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62183 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6D210-60E	文件：11.62178 Mbytes Page：234 Pages	Discrete and MOSFET components, analog & logic ICs 文件：11.62178 Mbytes 页数：234 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6D210-60E	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• Side wettable flanks for optical solder inspection\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)\n• Trench MOSFET technology\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
210
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
262
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
5.7
QGD [typ] (nC)：
0.7
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
2.5
Ptot [max] (W)：
15
Qr [typ] (nC)：
3
VGSth [typ] (V)：
1.7
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
110
Coss [typ] (pF)：
16
Release date：
2019-04-29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUK6D210-60E供应商更新时间2026-1-29 10:21:00

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