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BUK6D16-30EX

30 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0

文件:307.88 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

BUK6D16-30E

30 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0

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NEXPERIA

安世

BUK763R1-60E

D2PAK

NEXPERIA

安世

上传:万三科技(深圳)有限公司

BUK765R0-100E,118

D2PAK

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

BUK7J1R4-40HX

SOT1023

NEXPERIA/安世

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

NEXPERIA/安世

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Nexperia
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Nexperia
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NK/南科功率
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DFN2020-6
986966
国产
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NEXPERIA/安世
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DFN2020-6
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Nexperia(安世)
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NEXPERIA/安世
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DFN6
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恩XP
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更多BUK6D16-30EX供应商 更新时间2026-1-30 23:00:00