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BUK6D120-40E	文件：288.37 Kbytes Page：15 Pages	丝印：5F；Package：DFN2020MD-6；40 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Extended temperature range Tj = 175 °C • Side wettable flanks for o 文件：288.37 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6D120-40E	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Extended temperature range Tj = 175 °C\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 1 kV HBM (class H1C)\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package name：
DFN2020MD‑6
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
40
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
120
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
160
Tj [max] (°C)：
175
ID [max] (A)：
5.7
QGD [typ] (nC)：
0.4
QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：
2.4
Ptot [max] (W)：
7.5
Qr [typ] (nC)：
3
VGSth [typ] (V)：
1.6
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
113
Coss [typ] (pF)：
27
Release date：
2019-04-29

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市得捷芯城科技有限公司	BUK6D120-40E	Nexperia(安世)	25+	N/A	21000	原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	BUK6D120-40E	Nexperia(安世)	25+	N/A	21000	原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	BUK6D120-40E	NK/南科功率	2025+	DFN2020-6	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	BUK6D120-40E	NEXPERIA/安世	2511	DFN2020-6	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
万三科技(深圳)有限公司	BUK6D120-40E	Nexperia(安世)	25+	封装	500000	源自原厂成本,高价回收工厂呆滞	询价
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更多BUK6D120-40E供应商更新时间2026-1-30 10:21:00

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