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BUK664R6-40C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BUK664R6-40C_15

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

  • 型号:

    BUK664R6-40C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BUK664R6-40C供应商 更新时间2025-7-29 16:33:00