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BUK664R4-55C	文件：778.33 Kbytes Page：16 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：778.33 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK664R4-55C,118	文件：778.33 Kbytes Page：16 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：778.33 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK664R4-55C_15	文件：225.88 Kbytes Page：16 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：225.88 Kbytes 页数：16 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK664R4-55C	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. • AEC-Q101 compliant\n• Suitable for standard and logic level gate drive sources\n• Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
55
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
4.9
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
6.6
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
7.7
I_D [max] (A)：
100
Q_GD [typ] (nC)：
31.5
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
124
P_tot [max] (W)：
204
Q_r [typ] (nC)：
112
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
5800
C_oss [typ] (pF)：
550
Date：
2010-12-22

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更多BUK664R4-55C供应商更新时间2025-12-11 11:03:00

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