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BUK663R7-75C	文件：938.18 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：938.18 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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BUK663R7-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK663R7-75C - N-channel TrenchMOS FET N-channel TrenchMOS FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive applicat ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for intermediate level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
4
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
5.3
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
5.8
I_D [max] (A)：
120
Q_GD [typ] (nC)：
63
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
234
P_tot [max] (W)：
306
Q_r [typ] (nC)：
218
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
11580
C_oss [typ] (pF)：
870
Date：
2010-09-24

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更多BUK663R7供应商更新时间2025-11-8 14:25:00

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