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BUK6610-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK6610-75C - N-channel TrenchMOS FET N-channel TrenchMOS FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive applicat ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for intermediate level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK6610-75C	文件：773.09 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：773.09 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世
BUK7J1R4-40HX	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT1023	NEXPERIA/安世上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package version：
SOT404
Package name：
D2PAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
10
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
12.5
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
14.2
I_D [max] (A)：
78
Q_GD [typ] (nC)：
30
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
81
P_tot [max] (W)：
158
Q_r [typ] (nC)：
105
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
3938
C_oss [typ] (pF)：
310
Date：
2010-10-14

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更多BUK6610-75C供应商更新时间2026-1-29 10:20:00

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