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BUK652R6-40C

N-channel TrenchMOS FET

Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.\n

Nexperia

安世

BUK652R6-40C

N-channel TrenchMOS FET

文件:473.91 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

BUK763R1-60E

D2PAK

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安世

上传:万三科技(深圳)有限公司

BUK765R0-100E,118

D2PAK

NEXPERIA/安世

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

NEXPERIA/安世

BUK7J1R4-40HX

SOT1023

NEXPERIA/安世

上传:深圳市拓亿芯电子有限公司

NEXPERIA/安世

详细参数

  • 型号:

    BUK652R6-40C

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 40V 120A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
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诚信经营
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更多BUK652R6-40C供应商 更新时间2025-11-5 10:01:00