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BUK652R3-40C

文件：501.17 Kbytes

Page：16 Pages

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

1.1Generaldescription IntermediatelevelgatedriveN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET) inaplasticpackageusingadvancedTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeen designedandqualifiedtotheappropriateAECQ101standardforuseinhighperformance automotiveappl

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK652R3-40C
功能描述：
MOSFET N-CHAN 40V 120A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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