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BUK626R2-40C	文件：761.03 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：761.03 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK626R2-40C_15	文件：181.48 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 文件：181.48 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BUK626R2-40C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK626R2-40C - N-channel TrenchMOS intermediate level FET N-channel TrenchMOS intermediate level FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for standard and logic level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating\n;	Nexperia 安世	Nexperia
BUK763R1-60E	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA 安世上传：万三科技(深圳)有限公司	NEXPERIA
BUK765R0-100E,118	文件：0 bytes Page：0 Pages	D2PAK	NEXPERIA/安世上传：深圳市盈慧通电子有限公司	NEXPERIA/安世

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
40
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
6.2
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
8.8
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
10.7
I_D [max] (A)：
90
Q_GD [typ] (nC)：
20
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
67
P_tot [max] (W)：
128
Q_r [typ] (nC)：
56
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
2790
C_oss [typ] (pF)：
380
Date：
2011-07-18

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