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BUK6226-75C	文件：770.43 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive appl 文件：770.43 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6226-75C	文件：207.8 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET Rev. 01 ??4 October 2010 文件：207.8 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
BUK6226-75C_15	文件：207.8 Kbytes Page：14 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：207.8 Kbytes 页数：14 Pages	PHI PHI	PHI
BUK6226-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK6226-75C - N-channel TrenchMOS FET N-channel TrenchMOS FET - Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive applicat ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for standard and logic level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
29
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
35
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
40
I_D [max] (A)：
33
Q_GD [typ] (nC)：
9.4
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
34
P_tot [max] (W)：
80
Q_r [typ] (nC)：
74
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
1500
C_oss [typ] (pF)：
128
Date：
2010-10-11

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