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BUK6211-75C	文件：782.43 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS FET 1.1 General description Standard and logic level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotiv 文件：782.43 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BUK6211-75C	文件：219.83 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：219.83 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BUK6211-75C_15	文件：219.83 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS FET 文件：219.83 Kbytes 页数：15 Pages	PHI PHI	PHI
BUK6211-75C	文件：300 bytes Page：1 Pages	BUK6211-75C - N-channel TrenchMOS FET N-channel TrenchMOS FET - Standard and logic level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive ap ·AEC Q101 compliant\n·Suitable for intermediate level gate drive sources\n·Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT428
Package name：
DPAK
Product status：
Production
Channel type：
N
Number of transistors：
1
V_DS [max] (V)：
75
R_DSon [max] @ V_GS = 10 V (mΩ)：
11
R_DSon [max] @ V_GS = 5 V (mΩ)：
13.2
R_DSon [max] @ V_GS = 4.5 V (mΩ)：
15
I_D [max] (A)：
74
Q_GD [typ] (nC)：
30
Q_G(tot) [typ] @ V_GS = 10 V (nC)：
81
P_tot [max] (W)：
158
Q_r [typ] (nC)：
105
V_GSth [typ] (V)：
2.3
Automotive qualified：
Y
C_iss [typ] (pF)：
3938
C_oss [typ] (pF)：
310
Date：
2010-10-11

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUK6211-75C供应商更新时间2026-1-29 14:00:00

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