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BUK552-100A	文件：305.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposesw	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BUK552-100A	文件：222.34 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOS transistor Logic level FET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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