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BUJD203AD中文资料High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications数据手册WeEn规格书

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厂商型号

BUJD203AD

参数属性

BUJD203AD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 425V 4A DPAK

功能描述

High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications
TRANS NPN 425V 4A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:42:00

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BUJD203AD规格书详情

描述 Description

High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package.

特性 Features

• Fast switching
• High voltage capability
• Integrated anti-parallel E-C diode
• Surface mountable package
• Very low switching and conduction losses

应用 Application

• DC-to-DC converters
• Electronic lighting ballasts
• Inverters
• Motor control systems

简介

BUJD203AD属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUJD203AD晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BUJD203AD

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Package name

    :DPAK

  • Size

    :6.0 x 6.6 x 2.3

  • Product status

    :Production

  • IC [max]

    :4

  • VCESM [max]

    :850

  • VCEO [max]

    :425

  • Ptot [max]

    :80

  • hFE [typ]

    :15

  • @ IC

    :1

  • tf [max]

    :120

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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