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BUJD105AD	文件：186.24 Kbytes Page：12 Pages	NPN power transistor with integrated diode General description High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT428 (DPAK) surface-mountable plastic package. Features and benefits ■ Fast switching ■ High voltage capability ■ Very low switching and conduction 文件：186.24 Kbytes 页数：12 Pages	恩XP	恩XP
BUJD105AD	文件：298.29 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor with integrated diode General description High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT428 (DPAK) surface mountable plastic package. Features and benefits • Fast switching • High voltage capability • Integrated anti-parallel E-C diode • 文件：298.29 Kbytes 页数：13 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BUJD105AD_15	文件：195.33 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor with integrated diode 文件：195.33 Kbytes 页数：13 Pages	PHI PHI	PHI
BUJD105AD	文件：300 bytes Page：1 Pages	High voltage bipolar transistors for lighting, SMPS and industrial applications High voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel E-C diode in a SOT428 (DPAK) surface mountable plastic package. • Fast switching\n• High voltage capability\n• Integrated anti-parallel E-C diode\n• Surface mountable plastic package\n• Very low switching and conduction losses;	WeEn 瑞能半导体	WeEn
BUJD105AD,118	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 8A DPAK	WEEN 瑞能半导体	WEEN

技术参数

Package name：
DPAK
Size：
6.0 x 6.6 x 2.3
Product status：
Production
IC [max]：
8
VCESM [max]：
700
VCEO [max]：
400
Ptot [max]：
80
hFE [typ]：
17
@ IC：
1
tf [max]：
50

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUJD105AD供应商更新时间2026-1-22 22:58:00

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