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BUZ103SL	文件：119.82 Kbytes Page：8 Pages	SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeLogicLevelAvalanche-rateddv/dtrated) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •Avalanche-rated •dv/dtrated •175°Coperatingtemperature •alsoinSMDavailable	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BYP103	文件：25.86 Kbytes Page：3 Pages	FREDDiode(FastrecoveryepitaxialdiodeSoftrecoverycharacteristics)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BYP103	文件：254.93 Kbytes Page：2 Pages	FREDDiode FEATURES ·LowSwitchingLosses ·LowLeakageCurrent ·Ultrafastrecoverytime APPLICATIONS ·PFC ·Half-bridge/full-bridgeswitched-modepowersupplies ·Half-bridgelightingballasts	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BYX103G	文件：41.48 Kbytes Page：8 Pages	High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched.Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEA	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
C103	文件：1.18259 Mbytes Page：18 Pages	OperateonthemainACline100Vand200V OperateonthemainACline100Vand200V	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
C103	文件：118.57 Kbytes Page：2 Pages	SO-thru200-voltselection	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C-103	文件：73.93 Kbytes Page：2 Pages	Krimptite??ParallelSplicefor10-12AWGWire	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
C103A	文件：121.38 Kbytes Page：2 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIER DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORC103SeriestypesareEpoxyMoldedSiliconControlledRectifiersdesignedforcontrolsystemsandsensingcircuitapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
C103A	文件：118.57 Kbytes Page：2 Pages	SO-thru200-voltselection	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
C103A	文件：126.98 Kbytes Page：2 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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详细参数

型号：
BUJ103AX
功能描述：
两极晶体管 - BJT SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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