BUH50分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUH50 |
| 参数属性 | BUH50 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 500V 4A TO220 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
478.93 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-2 22:59:00 |
| 人工找货 | BUH50价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUH50规格书详情
BUH50属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BUH50晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
SWITCHMODE™ NPN Silicon Planar Power Transistor
The BUH50 has an application specific state–of–art die designed for use in 50 Watts HALOGEN electronic transformers and SWITCHMODE applications.
This high voltage/high speed transistor exhibits the following main feature:
• Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
High and Flat DC Current Gain hFE
Fast Switching
• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproductible Parametric Distributions
• Specified Dynamic Saturation Data
• Full Characterization at 125°C
产品属性
更多- 产品编号：
BUH50
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
SWITCHMODE™
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 1A，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 2A，5V
- 频率 - 跃迁：
4MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 500V 4A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-220 |
18798 |
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询价 | ||
onsemi |
25+ |
TO-220 |
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