BUH150分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
BUH150 |
| 参数属性 | BUH150 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 700V 15A TO220 |
| 功能描述 | POWER TRANSISTOR 15 AMPERES 700 VOLTS 150 WATTS |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
462.93 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-2 20:00:00 |
| 人工找货 | BUH150价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BUH150规格书详情
BUH150属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BUH150晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
The BUH150 has an application specific state–of–art die designed for use in 150 Watts Halogen electronic transformers.
This power transistor is specifically designed to sustain the large inrush current during either the start–up conditions or under a short circuit across the load.
This High voltage/High speed product exhibits the following main features:
• Improved Efficiency Due to the Low Base Drive Requirements:
High and Flat DC Current Gain hFE
Fast Switching
• Robustness Thanks to the Technology Developed to Manufacture
this Device
• ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproducible Parametric Distributions
产品属性
更多- 产品编号:
BUH150
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
SWITCHMODE™
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
5V @ 4A,20A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 10A,5V
- 频率 - 跃迁:
23MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 700V 15A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
TO-220 |
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