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BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory DESCRIPTION TheBUF16821offers16programmablegammachannelsandtwoprogrammableVCOMchannels. ThefinalgammaandVCOMvaluescanbestoredintheon-chip,nonvolatilememory.Toallowforprogrammingerrorsorliquidcrystaldisplay(LCD)panelrework,theBUF16821supportsupto16write | EPCOSepcos 爱普科斯 | EPCOS | |
BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | |
BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | |
BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator and High Slew Rate VCOM with Integrated Two-Bank Memory | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | |
BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | |
BUF16821 | Programmable Gamma-Voltage Generator and High Slew Rate VCOM | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | |
具有集成双列存储器的汽车类、16 通道伽玛电压发生器和 Vcom 校准器; • 具有符合 AEC-Q100 标准的以下结果: \n• 温度等级 3:-40°C 至 85°C\n• 人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2\n• 充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B\n \n• 16 通道 P 伽马,2 通道 P-VCOM,10 位分辨率\n• 16x 可重写非易失性存储器\n• 两个独立的引脚可选存储器组\n• 轨至轨输出: \n• 300mV(最小值)电源轨摆幅 (10mA)\n• > 300mA(最大值)IOUT \n \n• 电源电压:9V 至 20V\n• 数字电源:2V 至 5.5V\n• I2C 接口:支持 400kHz 和 2.7MHz; BUF16821-Q1 提供 16 条可编程伽马通道,以及两个可编程 VCOM 通道。 最终的伽马和 VCOM 值可被存储在片上、非易失性存储器中。为了应对编程错误时或使液晶显示屏 (LCD) 面板重新开始工作,此器件支持多达 16 个对片上存储器的写操作。 此器件具有两个独立的存储器组,可实现两个不同伽马曲线的同时存储,从而使伽马曲线之间的切换更加便捷。 所有伽马和 VCOM 通道提供一个轨到轨输出,此输出在10mA 负载时,通常在任一电源轨的 150mV 内摆动。 可使用一个 I2C 接口对所有通道进行编程,这个接口支持高达 400kHz的标准运行,以及高达 2.7MHz 的高速数据传输。 此器件使用德州仪器 (TI) 专有的、最先进的高压 CMOS 工艺制造。 这一工艺提供高达 20V的高密度逻辑和高电源电压运行。此器件采用带散热片薄型小外形尺寸 (HTSSOP)-28 PowerPAD 封装,并且在 -40°C 至 +85°C | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
Programmable Gamma-Voltage Generator and VCOM Calibrator with Integrated Two-Bank Memory | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI |
技术参数
- IC integration:
Gamma buffer
- Vin (Min) (V):
9
- Vin (Max) (V):
20
- Source driver voltage (Min) (V):
9
- Source driver voltage (Max) (V):
20
- Level shifter/scan driver (ch):
0
- Features:
Gamma buffer
- Rating:
Automotive
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TI(德州仪器) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TI |
24+ |
HTSSOP|28 |
71000 |
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EPCOS |
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TI |
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SOP |
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TI/德州仪器 |
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TI(德州仪器) |
23+ |
NA |
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TI(德州仪器) |
23+ |
N/A |
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TI/德州 |
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TI |
23+ |
HTSSOP- |
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