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BUD42D	文件：193.44 Kbytes Page：14 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Features 文件：193.44 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D	文件：184.09 Kbytes Page：12 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor 文件：184.09 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D-1	文件：193.44 Kbytes Page：14 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Features 文件：193.44 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42DT4	文件：193.44 Kbytes Page：14 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications. Features 文件：193.44 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D_11	文件：184.09 Kbytes Page：12 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor 文件：184.09 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42DT4G	文件：184.09 Kbytes Page：12 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor 文件：184.09 Kbytes 页数：12 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 4A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42D-1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 4A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUD42DG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 350V 4A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BUD42D
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，5V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 350V 4A DPAK

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