BUD42D-1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUD42D-1 |
| 参数属性 | BUD42D-1 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 350V 4A DPAK |
| 功能描述 | High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
193.44 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 9:51:00 |
| 人工找货 | BUD42D-1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUD42D-1规格书详情
BUD42D-1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的BUD42D-1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
High Speed, High Gain Bipolar NPN Transistor with Antisaturation Network and Transient Voltage Suppression Capability
The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable for light ballast applications.
特性 Features
• Free−Wheeling Diode Built−In
• Flat DC Current Gain
• Fast Switching Times and Tight Distribution
• “6 Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter
Spreads
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Two Versions
• BUD42D−1: Case 369D for Insertion Mode
• BUD42D, BUD42DT4: Case 369C for Surface Mount Mode
产品属性
更多- 产品编号：
BUD42D-1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 2A，5V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN 350V 4A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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