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BUB323ZT4G

NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

The BUB323Z is a planar, monolithic, high−voltage power Darlington with a built−in active zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control. Features • Integrated High−Voltage

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ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4

NPN Silicon Power Darlington

文件:118.95 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4

NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

文件:90.57 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4G

NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected D2PAK for Surface Mount

文件:90.57 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4G

NPN Silicon Power Darlington

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ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

BUB323ZT4G

Package:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BUB323ZT4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.7V @ 250mA,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 5A,4.6V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BUB323ZT供应商 更新时间2025-12-26 8:12:00