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BU941	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 400V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray	NJS 新泽西半导体	NJS
BU941	文件：300 bytes Page：1 Pages	达林顿管	AN-SHUN 安顺微	AN-SHUN
BU941	文件：300 bytes Page：1 Pages	Darlington Transistor	UTC 友顺	UTC
BU941	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AA，TO-3；包装：剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 400V 15A TO3	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU941P	文件：135.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·DARLINGTON ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions. ·High voltage ignition coil driver 文件：135.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU941P	文件：47.46 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·DARLINGTON ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions. ·High voltage ignition coil driver 文件：47.46 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BU941P	文件：136.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·DARLINGTON ·High breakdown voltage APPLICATIONS ·High ruggedness electronic ignitions. ·High voltage ignition coil driver 文件：136.75 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU941P	文件：87.2 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON Description The devices are bipolar Darlington transistors manufactured using Multi-Epitaxial Planar technology. They have been properly designed to be used in automotive environment as electronic ignition power actuators. Features ■ Very rugged Bipolar technology ■ High operating 文件：87.2 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU941PFI	文件：87.2 Kbytes Page：8 Pages	HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON Description The devices are bipolar Darlington transistors manufactured using Multi-Epitaxial Planar technology. They have been properly designed to be used in automotive environment as electronic ignition power actuators. Features ■ Very rugged Bipolar technology ■ High operating 文件：87.2 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BU941PFI	文件：334.22 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 400V(Min) APPLICATIONS ·Designed for power amplifier ·high speed switching and regulated power supply applications. 文件：334.22 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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晶体管资料

型号：
BU941
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
500V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BUT13,BUT14,BUT15,
最大耗散功率：
180W
放大倍数：
β>300
图片代号：
E-44
vtest：
500
htest：
999900
atest：
15
wtest：
180

产品属性

产品编号：
BU941
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 300mA，12A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 5A，10V
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN DARL 400V 15A TO3

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