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BU7481G	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Speed Ground Sense Operational Amplifier; •低电压工作\n +1.8 [V] ～ +5.5 [V] (单电源)\n•直流电压增益大\n•内置静电保护电路\n 人体模式 (HBM) ±4000[V] (Typ.)\n•低输入偏置电流 1[pA] (Typ.)\n•高转换速率\n 3.2[V/μs]\n; 低电压高速CMOS运算放大器是单片式IC。在单芯片中集成了单电路相位补偿电容内置型输出全振幅运算放大器。可实现低电压工作、低消耗电流、高速工作，输入偏置电流非常小是其特点。低电压高速CMOS运算放大器根据输入类型，可分为以下两类。输入全振幅： BU7291家族,BU7255家族接地检测： BU7495家族,BU7481家族, BU7485家族,BU5281家族	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU7481G	文件：123.72 Kbytes Page：5 Pages	SILICON MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU7481G	文件：605.66 Kbytes Page：27 Pages	High Speed with Low Voltage CMOS Operational Amplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU7481G	文件：608.66 Kbytes Page：27 Pages	High Speed with Low Voltage CMOS Operational Amplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU7481G	文件：608.66 Kbytes Page：27 Pages	Low Voltage with High Speed CMOS Op-Amp integrates one independent output full swing Op-Amps and phase compensation capacitors on a single chip.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU7481G-TR	文件：495.03 Kbytes Page：22 Pages	High Speed Low Voltage Operation CMOS Operational Amplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

封装：
SSOP5
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Channel：
1
Circuit Current (Typ.) [mA/ch]：
0.42
Input Offset Voltage (Max.) [mV]：
8
Input Bias Current (Typ.) [nA]：
0.001
Slew Rate (Typ.) [V/µs]：
3.2
Input Voltage Range [V]：
VSS to VDD-1.2
Output Voltage Range [V]：
VSS+0.1 to VDD-0.1
Voltage gain (Typ.) [dB]：
105
Output current (Typ.) [mA]：
8
CMRR (Typ.) [dB]：
60
PSRR (Typ.) [dB]：
80
GBW (Typ.) [MHz]：
2.8
Operating Temperature (Min.) [°C]：
-40
Operating Temperature (Max.) [°C]：
85
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1.25)

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