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BU522	文件：248.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：248.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU522	文件：129.199 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：129.199 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU522	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 375V 7A	NJS	NJS
BU522A	文件：130 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：130 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU522A	文件：248.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：248.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU522B	文件：248.13 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：248.13 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU522B	文件：105.13 Kbytes Page：4 Pages	7 AMPERES DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON 450 VOLTS 75 WATTS Power Transistor mainly intended for use as ignition circuit output transistor. • Specified minimum sustaining voltage: VCER(sus) = 425 V at IC = 1 A • High S.O.A. capability: VCE = 400 V • Low VCE(sat) = 2.0 V max. at IC = 4 A 文件：105.13 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BU522B	文件：129.699 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Darlington NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Voltage • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.0V @ IC= 4A APPLICATIONS • Designed for use in ignition circuit. 文件：129.699 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU52272NUZ	文件：1.61152 Mbytes Page：20 Pages	Omnipolar Detection Hall IC 文件：1.61152 Mbytes 页数：20 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BU52272NUZ-ZE2	文件：1.61152 Mbytes Page：20 Pages	Omnipolar Detection Hall IC 文件：1.61152 Mbytes 页数：20 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
BU522
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU806,BU810,2SD1533,
最大耗散功率：
75W
放大倍数：
β>250
图片代号：
B-10
vtest：
400
htest：
999900
atest：
7
wtest：
75

技术参数

Type：
NPN
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55ﾡC
Minimum DC Current Gain：
250@2.5A@5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
7A
Maximum Collector Emitter Voltage：
375V
Maximum Collector Base Voltage：
400V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2.5@80mA@4AV
Configuration：
Single

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更多BU522供应商更新时间2025-12-24 16:01:00

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