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BU505F	文件：81.1 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed, glass-passivated NPN power transistor in a SOT186 package with electrically isolated mounting base. The BU505DF has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers. 文件：81.1 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU505F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F	NJS 新泽西半导体	NJS
CLC505	文件：735.29 Kbytes Page：12 Pages	High-Speed, Programmable-Supply Current, Monolithic Op Amp 文件：735.29 Kbytes 页数：12 Pages	NSC 国半	NSC
HER505	文件：125.41 Kbytes Page：2 Pages	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,50-400V) 文件：125.41 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
UPA505T	文件：88.77 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNEL/P-CHANNEL MOS FET 5-PIN 2 CIRCUITS The µPA505T is a mini-mold device provided with two MOS FET circuits. It achieves high-density mounting and saves mounting costs. FEATURES • Two source common MOS FET circuits in package the same size as SC-59 • Complementary MOS FETs are provided in one package. • Automatic mounting 文件：88.77 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC

晶体管资料

型号：
BU505F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
LSO
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
2.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU506F,2SD1575,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
2.5
wtest：
20

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@900mA@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
2.5A
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
20000mW
Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
Type：
NPN

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