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BU406G

NPN Power Transistors

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES − 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s. Features • High Voltage: VCEV = 330 or 400 V • Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max) • Low Saturation Voltag

文件:127.03 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BU406G

NPN Power Transistors

文件:87.07 Kbytes 页数:3 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BU406G-X-T3P-T

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

UTC

友顺

BU406G-X-TA3-T

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

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BU406G-X-TF1-T

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

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BU406G-X-TF3-T

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

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BU406G-X-TQ2-R

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

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BU406G-X-TQ2-T

SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR

文件:213.35 Kbytes 页数:4 Pages

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友顺

BU406G

Package:TO-220-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 200V 7A TO220

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BU406G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 500mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    5mA

  • 频率 - 跃迁:

    10MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 7A TO220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多BU406G供应商 更新时间2025-12-12 23:01:00