BU406G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BU406G |
| 参数属性 | BU406G 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 200V 7A TO220 |
| 功能描述 | NPN Power Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
127.03 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 10:04:00 |
| 人工找货 | BU406G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BU406G规格书详情
BU406G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体公司制造生产的BU406G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES − 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS
These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.
特性 Features
• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
BU406G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
- 频率 - 跃迁：
10MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 200V 7A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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