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BU406数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BU406

参数属性

BU406 封装/外壳为TO-220-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 7A TO220-3

功能描述

NPN 双极功率晶体管
TRANS NPN 200V 7A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 16:56:00

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BU406规格书详情

描述 Description

This Bipolar Power Transistor is a voltage, high speed transistor for horizontal deflection output stages of TVs and CRTs.

特性 Features

• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A
• Packaged in Compact JEDEC TO-220AB
• Pb-Free Package is Available

简介

BU406属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BU406晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BU406

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1

  • IC Cont. (A)

    :7

  • VCEO Min (V)

    :200

  • VCBO (V)

    :400

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :-

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :10

  • PTM Max (W)

    :60

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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84000
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