BU406中文资料NPN 双极功率晶体管数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

This Bipolar Power Transistor is a voltage, high speed transistor for horizontal deflection output stages of TVs and CRTs.

特性 Features

• High Voltage: VCEV = 330 or 400 V
• Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)
• Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A
• Packaged in Compact JEDEC TO-220AB
• Pb-Free Package is Available

简介

BU406属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BU406晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。