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BU406	文件：109.09 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·Highvoltage;highspeed ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·ForuseinhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCTV’scircuits	SAVANTIC Savantic, Inc.
BU406	文件：194.67 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description DesignedforuseinTVhorizontaloutputandswitchingapplications.TO-220A	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司
BU406	文件：134.3 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighVoltage:VCEV=400V(Min) ·FastSwitchingSpeed-:tf=750ns(Max) ·LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A APPLICATIONS ·DesignedforuseinhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCRT’s	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BU406	文件：127.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN Power Transistors NPNSILICONPOWERTRANSISTORS7AMPERES−60WATTS150AND200VOLTS Thesedevicesarehighvoltage,highspeedtransistorsforhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCRT’s. Features •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed:tf=750ns(max) •LowSaturationVoltag	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BU406	文件：66.18 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor HighVoltageSwitching *UseInHorizontalDeflectionOutputStage	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
BU406	文件：54.64 Kbytes Page：1 Pages	NPN SLICON POWER TRANSISTOR JEDEC TO-220 CASE DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORBU406seriestypesareSiliconNPNHighVoltagePowerTransistorsdesignedforfastswitching,horizontaldeflectionoutputstagesofmonitors.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
BU406	文件：24.32 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(HIGH VOLTAGE SWITCHING USE IN HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT STAGE) NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGESWITCHINGUSEIN HORIZONTALDEFLECTIONOUTPUTSTAGE	WINGSWing Shing Computer Components Wing Shing Computer Components
BU406	文件：633.17 Kbytes Page：3 Pages	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltage ●FastSwitchingSpeed:tf=750ns(max) ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1V(max)@5A ●Pb−FreePackagesareAvailable*	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
BU406	文件：1.01792 Mbytes Page：7 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Highvoltage. Applications Highvoltageswitchingandhumidifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
BU406	文件：287.7 Kbytes Page：5 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR FEATURES ●Highbreakdownvoltage ●Highcurrentcapability ●Highswitchingspeed ●Highreliability ●RoHSproduct APPLICATIONS ●Highfrequencyswitchingpower supply ●Highfrequencypowertransform ●Commonlypoweramplifier circuit	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
BU406	文件：100.41 Kbytes Page：4 Pages	7 AMPERES NPN SILICON POWER TRANSISTORS 60 WATTS 150 and 200 VOLTS Thesedevicesarehighvoltage,highspeedtransistorsforhorizontaldeflectionoutputstagesofTV’sandCRT’s. •HighVoltage:VCEV=330or400V •FastSwitchingSpeed:tf=750ns(max) •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1V(max)@5A •PackagedinCompactJEDECTO–220AB	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BU406	文件：106.2 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(7A,150-200V,60W) 7AMPEREPOWERTRANSISTOR150-200VOLTS60WATTS	MOSPEC MOSPEC
BU406	文件：67.49 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION TheBU406isasiliconEpitaxialPlanarNPNtransistorinJedecTO-220plasticpackage. ItisafastswitchingdeviceforuseinhorizontaldeflectionoutputstagesoflargescreensMTVreceiverswith110°CRT. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■NPNTRANSISTOR ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
BU406	文件：157.99 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS ●7AContinuousCollectorCurrent ●15APeakCollectorCurrent ●60Wat25°CCaseTemperature	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd
BU406	文件：112.15 Kbytes Page：3 Pages	NPN POWER TRANSISTOR 7AMPEREPOWERTRANSISTOR150-200VOLTS60WATTS	bocaBoca semiconductor corporation 博卡博卡半导体公司
BU406	文件：47.3 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Switching HighVoltageSwitching •UseInHorizontalDeflectionOutputStage	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BU406	文件：153.75 Kbytes Page：4 Pages	SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBU406isaNPNexpitaxialplanartransistor.ItisafastswitchingdeviceforuseinhorizontaldeflectionoutputstagesoflargescreensMTVreceiverswith110℃CRT.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
BU406	文件：366.62 Kbytes Page：4 Pages	NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS HorizontalDeflectionOutputStagesofTVandCRT	CDIL CDIL
BU406	文件：351.92 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN) High Voltage FEATURES ●HighVoltage ●FastSwitchingSpeed:tf=750ns(max) ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1V(max)@5A ●Pb−FreePackagesareAvailable*	FS First Silicon Co., Ltd
BU406	文件：134.18 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •HighVoltage:VCEV=400V(Min) •FastSwitchingSpeed- :tf=750ns(Max) •LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=5A APPLICATIONS •Designedforuseinhorizontaldeflectionoutputstages ofTV’sandCRT’s	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

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晶体管资料

型号：
BU406(H)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
电视（TV）_行输出（HA）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
7A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU104P,BU408,2SC3175,2SC3591,3DK308A,D2373,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
400
htest：
999900
atest：
7
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BU406
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 500mA，5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5mA
频率 - 跃迁：
10MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220
描述：
TRANS NPN 200V 7A TO220

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更多BU406供应商更新时间2024-4-19 16:36:00

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