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BU2508DF	文件：157.27 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=700V(Min) •HighSwitchingSpeed •Built-inDamperDiode APPLICATIONS •Designedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsof colorTVreceivers.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BU2508DF	文件：118.7 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-3PFapackage •Highvoltage,highspeed •Built-indamperdiode APPLICATIONS •Foruseinhorizontaldeflectioncircuits ofcolourTV	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU2508DF	文件：71.46 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION Enhancedperformance,newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorwithanintegrateddamperdiodeinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontaldeflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.Featuresexceptionaltolerancetobasedri	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BU2508DF	文件：89.37 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION Enhancedperformance,newgeneration,high-voltage,high-speedswitchingnpntransistorwithanintegrateddamperdiodeinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhorizontal deflectioncircuitsofcolourtelevisionreceivers.Featuresexceptionaltolerancet	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd
BU2508DF	文件：78.37 Kbytes Page：1 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSE PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS) COLORTVHORIZONTALOUTPUTAPPLICATIONS(NoDamperDiode) HighCollector-BaseVoltage(VCBO=1500V) HighSpeedSwitching	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司
BU2508DF	文件：71.46 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Diffused Power Transistor	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BU2508DF	文件：120.28 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BU2508DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Diffused Power Transistor	恩XP	恩XP
BU2508DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSE PLANAR SILICON TRANSISTOR(COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS)	Wing Shing ComputerWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司
BU2508DF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 700V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247F	NJS New Jersey Semiconductor	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@1.12A@4.5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Emitter Base Voltage：
7.5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
45000mW
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BU2508DF供应商更新时间2025-8-1 16:30:00

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