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BU180A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:95.48 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BU180A

Silicon NPN Darlington Power Transistor

文件:126.4 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BU180A

Trans Darlington NPN 200V 10A

NJS

NJS

BZT180

Silicon Planar Zener Diodes

文件:386.73 Kbytes 页数:2 Pages

SEMTECH

先之科

BZT180

SILICON PLANAR ZENER DIODES

文件:162.33 Kbytes 页数:2 Pages

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

C180

High Power Silicon Controlled Rectifier

文件:121.97 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

晶体管资料

  • 型号:

    BU180A

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    电视 (TV)_行输出 (HA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    400V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU284,BU82,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

    β>200

  • 图片代号:

    B-62

  • vtest:

    400

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    50

技术参数

  • Number of Elements per Chip:

    1

  • Minimum Operating Temperature:

    -55ᄀC

  • Minimum DC Current Gain:

    200@5A@5V

  • Maximum Operating Temperature:

    150ᄀC

  • Maximum Emitter Base Voltage:

    8V

  • Maximum Continuous DC Collector Current:

    10A

  • Maximum Collector Emitter Voltage:

    200V

  • Maximum Collector Base Voltage:

    400V

  • Maximum Base Emitter Saturation Voltage:

    2@20mA@4AV

  • Configuration:

    Single

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更多BU180A供应商 更新时间2026-1-17 16:01:00