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BU104	文件：214.84 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min.) • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max.)@ IC= 7A APPLICATIONS • Designed for use in horizontal deflexion output stage of B/W TV receivers. 文件：214.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU104	文件：123.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：123.34 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU104	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 150V 7A	NJS	NJS
BU1045CWRC-07-CJ443	文件：300 bytes Page：1 Pages	ECM MIC	XINGANG 新港海岸	XINGANG

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
400V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
2.5@1A@7AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
150V
Maximum DC Collector Current：
7A
Maximum Emitter Base Voltage：
10V
Maximum Operating Temperature：
200ﾡC
Maximum Power Dissipation：
85000mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BU104		24+	TO-3	10000	全新	询价
深圳市旺财半导体有限公司	BU104		23+		20000	正品原装货价格低	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	BU104	MOT	23+	TO-3	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
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深圳市腾亿芯科技有限公司	BU104DP	ST	25+	TO-220	16900	原装，请咨询	询价
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上海金庆电子技术有限公司	BU105	HITACHI	新		6	全新原装货期两周	询价
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更多BU104供应商更新时间2025-12-1 10:20:00

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