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BU100中文资料Trans GP BJT NPN 60V 10A数据手册NJS规格书

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厂商型号

BU100

参数属性

BU100 封装/外壳为4-SIP,BU-5S;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-桥式整流器;产品描述:DIODE BRIDGE 10A 600V

功能描述

Trans GP BJT NPN 60V 10A

封装外壳

4-SIP,BU-5S

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BU100

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Base Voltage

    :150V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :3.3@2.5A@8AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :60V

  • Maximum DC Collector Current

    :10A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :7V

  • Maximum Operating Temperature

    :200ᄀC

  • Maximum Power Dissipation

    :15000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :0.1(Min)MHz

  • Type

    :NPN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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