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BU100中文资料Trans GP BJT NPN 60V 10A数据手册NJS规格书

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厂商型号

BU100

参数属性

BU100 封装/外壳为4-SIP,BU-5S;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-桥式整流器;产品描述:DIODE BRIDGE 10A 600V

功能描述

Trans GP BJT NPN 60V 10A

封装外壳

4-SIP,BU-5S

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2026-2-2 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU100

  • 别名:

    BU100三极管、BU100晶体管、BU100晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    电视 (TV)_行输出 (HA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BU107,BU109,BU110,BU114,BU127,BU606,BU607,BU608,BUY20,BUY69C,BUY70C,

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    15

技术参数

  • 制造商编号

    :BU100

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Base Voltage

    :150V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :3.3@2.5A@8AV

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :60V

  • Maximum DC Collector Current

    :10A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :7V

  • Maximum Operating Temperature

    :200ᄀC

  • Maximum Power Dissipation

    :15000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :0.1(Min)MHz

  • Type

    :NPN

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