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BTS730	文件：49.97 Kbytes Page：7 Pages	PWM Power Unit (The device allows continuous power control for lamps,LEDs or inductive loads.) PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. •Highsideswitch •Overtemperaturprotection •Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown •Loaddumpprotection •Undervoltageandovervoltageshutdown	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS730	文件：135.82 Kbytes Page：7 Pages	PWM Power Unit PWMPowerUnit Thedeviceallowscontinuouspowercontrolforlamps,LEDsorinductiveloads. ●Highsideswitch(Bootstrap) ●Overtemperaturprotection ●Shortcircuit/overloadprotectionthroughpulsewidthreductionandoverloadshutdown ●Loaddumpprotection ●Undervoltageandovervolta	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS730	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	Smart High-Side Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS730_07	文件：187.57 Kbytes Page：10 Pages	Smart High-Side Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS730XUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
CEB730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB730G	文件：658.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED730G	文件：414.34 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED730G	文件：613.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 400V,5A,RDS(ON)=1W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF730G	文件：419.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP730G400V1Ω5.5A10V CEB730G400V1Ω5.5A10V CEF730G400V1Ω5.5A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeprod	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
BTS730
功能描述：
电源开关 IC - POE/LAN DSO-20
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
开关数量：
Single
开关配置：
SPST
开启电阻（最大值）：
7.3 Ohms
开启时间（最大值）：
13 ns
关闭时间（最大值）：
20 ns
工作电源电压：
8 V to 26 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220F-6

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更多BTS730供应商更新时间2025-5-29 17:29:00

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