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FSB660A	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FSB660A	文件：279.75 Kbytes Page：7 Pages	PNPLowSaturationTransistor Description Thesedevicesaredesignedwithhigh-currentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FVDT-660W	文件：314.86 Kbytes Page：3 Pages	ThreePhaseDoubleStage	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
FVST-660	文件：179.74 Kbytes Page：1 Pages	ThreePhaseDoubleStage	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
G660	文件：103.98 Kbytes Page：1 Pages	MicroprocessorResetIC	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GSIB660	文件：51.33 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB660	文件：104.83 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB660	文件：129.509 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:6.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
GSIB660	文件：93.97 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE54214 •Thinsinglein-linepackage •Glasspassivatedchipjunction •Highsurgecurrentcapability •Highcasedielectricstrengthof1500VRMS •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GSIB660	文件：6.0518 Mbytes Page：70 Pages	COLOURTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
BTS660-P
功能描述：
?9mOhm - Vbb(on) = 5V-58V - TO220-7-3?

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BTS660-P	INFINEON/英飞凌	23+		22358	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市永贝尔科技有限公司	BTS660PE3180A	INFINEON	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
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更多BTS660-P供应商更新时间2025-7-26 16:30:00

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