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BTS621L1	文件：337.6 Kbytes Page：15 Pages	Smart Two Channel Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS® technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：337.6 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1	文件：191.58 Kbytes Page：14 Pages	Smart Two Channel Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short circuit protection Thermal shutdown) General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions. Features • Overload protection • Current limitation • Sh 文件：191.58 Kbytes 页数：14 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BTS621L1	文件：353.03 Kbytes Page：14 Pages	Fast demagnetization of inductive loads 文件：353.03 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Smart 2-channel highside power switch • Overload protection\n• Current limitation\n• Short-circuit protection\n• Thermal shutdown\n• Overvoltage protection (including load dump)\n• Fast demagnetization of inductive loads\n• Reverse battery protection1)\n• Undervoltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis\n• Open dra;	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-7 成形引线；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220-7	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1E3128A	文件：337.6 Kbytes Page：15 Pages	Smart Two Channel Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS® technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：337.6 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1E3230	文件：337.6 Kbytes Page：15 Pages	Smart Two Channel Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS® technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circu 文件：337.6 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1_13	文件：353.03 Kbytes Page：14 Pages	Fast demagnetization of inductive loads 文件：353.03 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1E3128A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Classic PROFET™ 12V \| Automotive smart high-side switch High side power switch with integrated vertical power FET, providing embedded protection and diagnostic functions. • Overload protection\n• Current limitation\n• Short circuit protection\n• Thermal shutdown\n• Overvoltage protection (including load dump)\n• Fast demagnetization of inductive loads\n• Reverse battery protection1)\n• Undervoltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis\n• Open dra;	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS621L1 E323	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Side Switches	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
BTS621L1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
PROFET®
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
2
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
5V ~ 34V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
80 毫欧
输入类型：
非反相
特性：
自动重启，状态标志
故障保护：
限流（固定），开路负载检测，超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
P-TO220-7-3
封装/外壳：
TO-220-7 成形引线
描述：
IC PWR SWITCH N-CHAN 1

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更多BTS621L1供应商更新时间2025-10-4 8:11:00

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