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BTS612N1E3230	文件：308.67 Kbytes Page：15 Pages	Smart Two Channel Highside Power Switch General Description N channel vertical power FET with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback, monolithically integrated in Smart SIPMOS technology. Providing embedded protective functions. Features • Overload protection • Current limitation • Short circui 文件：308.67 Kbytes 页数：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
BTS612N1E323
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Power Switch Hi Side 1.8A 7-Pin(7+Tab) TO-220 Tube

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更多BTS612N1E323供应商更新时间2025-10-13 16:30:00

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