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FJNS3207R	文件：37.43 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor SwitchingApplication(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,DriverCircuit •BuiltinbiasResistor(R1=22KΩ,R2=47KΩ) •ComplementtoFJNS4207R	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
G3207	文件：163.18 Kbytes Page：1 Pages	0.75SPDTAnalogSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GC3207	文件：153.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERGENERATIONHarmonicsGeneratorVaractors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HM3207	文件：499.26 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3207B	文件：609.23 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3207BD	文件：519.14 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3207D	文件：385.49 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM3207T	文件：681.32 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-3207	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-3207	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM

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详细参数

型号：
BTS3207N
功能描述：
电源开关 IC - 配电 HITFET IC PWR SWITCH LOW SIDE 0.64A
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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更多BTS3207N供应商更新时间2025-6-8 14:01:00

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